니오브산리튬(LiNbO3) 박막
니오브산리튬(LiNbO3) 박막은 집적 포토닉스 및 표면탄성파 소자의 핵심 소재로, 우수한 전기{2}}, 음향- 및 비선형 광학 특성으로 인해 고성능 광변조기, 도파관, 센서 및 RF 필터에서 대체할 수 없는 역할을 합니다. 높은 굴절률, 넓은 투명도 창, 강력한 전기{5}}광학 계수, 우수한 화학적 안정성을 특징으로 하여 효율적인 광 신호 변조 및 낮은-손실 전송이 가능합니다. 그러나 LiNbO3 박막의 표면 품질은 특히 뛰어난 표면 거칠기, 평탄도 및 무결성을 요구하는 고주파수 및 고전력 애플리케이션에서 광 손실, 변조 효율 및 장치 신뢰성에 직접적인 영향을 미칩니다.
Hemei Company는 첨단 광학 필름 및 크리스탈 재료 가공에 대한 체계적인 전문 지식을 보유하고 있습니다. LiNbO3 박막의 재료 특성을 목표로 Hemei는 -표면 하부 손상을 최소화하면서 높은 표면 정밀도를 달성하는 연마 및 평탄화 솔루션을 개발했습니다. 이 프로세스는 에피택시 필름 준비부터 -장치 통합 후까지 전체 표면 처리 워크플로우를 다루며 고속 광 통신, 양자 광학 및 RF 시스템에서 요구되는 원자-매끄러운 표면, 낮은 산란 손실 및 우수한 광학 균일성에 대한 엄격한 요구 사항을 충족합니다.-
지원 요건
LiNbO3 박막의 연마 및 표면 처리 목적은 다음과 같습니다.
표면 거칠기(Ra)를 로 감소< 0.5 nm to minimize transmission loss in waveguides and insertion loss in modulators.
1μm 이하의 총 두께 변화(TTV)를 달성하여 광학 및 전기장 분포의 일관성을 보장합니다.
표면 결함이 없는 손상-표면을 확보하여 높은 변조 효율성과 긴 기기 수명에 대한 요구 사항을 충족합니다.
특정 마이크로미터-범위 내에서 두께 균일성(TTV)을 제어합니다.
이러한 목표를 달성하기 위해 Hemei의 프로세스에서는 맞춤형 접착 시스템과 다단계 연마 절차를 사용하여 처리 중 기하학적 정확성과 표면 무결성을 보장합니다.
시스템 사양
Hemei의 모듈식 연마 시스템은 다양한 크기와 모양의 LiNbO3 박막 처리를 지원합니다. 핵심 시스템에는 다음이 포함됩니다.
HSM-L/LP 시리즈 래핑 장비: 초기 재료 제거 및 두께 제어용.
HSM-CMP 시리즈 화학기계연마(CMP) 시스템: 매우-매끄럽고 손상이 없는-표면을 얻기 위한 것입니다.
주요 하위 시스템은 다음과 같습니다.
웨이퍼/크리스탈-특정 본딩 유닛(WB)
SJ/ASJ 시리즈 정밀 연마 지그
C-ASJ 드라이브 헤드 고속-연마 시스템
처리 흐름
접착 및 장착: LiNbO3 박막은 WB 장치를 사용하여 캐리어 플레이트에 일시적으로 접착된 다음 연마 장치에 장착됩니다.
황삭 및 중간 연마: HSM-L 장비에서 제어된 랩핑을 수행하여 가공 손상층을 제거합니다.
정밀 연마: HSM-CMP 시스템이 최종 연마를 수행합니다. 압력, 회전 속도, 슬러리 흐름과 같은 매개변수가 실시간으로 조정되어-나노미터-수준의 표면 매끄러움을 달성합니다.
전형적인 결과
표면 거칠기(Ra)를 로 감소< 0.5 nm.
총 두께 변화(TTV) 1μm 이하.
표면 결함이 없고-손상이 없는 표면입니다.-
0.05 - 0.2μm/min의 제어 가능한 재료 제거 속도.
Hemei Company는 니오브산 리튬 박막을 위한 완전하고 제어 가능한 연마 및 평탄화 솔루션을 제공합니다. 이 솔루션은 원자 수준의 표면 품질과 뛰어난 광전 성능을 안정적으로 제공하여 고속 광통신, 통합 광자 칩, 마이크로파 광자, 감지 및 양자 정보 처리와 같은 최첨단 분야에서 LiNbO3 박막의 산업 응용 및 성능 향상을 강력하게 지원합니다.-
