우수하고 뛰어난 품질, 완벽에 대한 믿음, 탁월한 우수성 추구에 대한 믿음 에너지 효율적인 표면의 랩핑 및 연마를위한 랩핑 및 연마, 서비스 수명 유리 기판 시장에서. 우리는 회사의 위치를 ​​계획하고 레이아웃 할 것입니다.보석을위한 랩핑 및 연마 새로운 시대의 추세에 따라 새로운 관점을 가진 산업. 우리는 혁신, 리더십 및 포괄적 인 품질 관리 및 고객 만족의 개념을 바탕으로 적극적이고 꾸준한 속도로 고객의 요구를 충족시키기 위해 엄격한 연구 개발에 참여하고 있습니다. 안전 및 환경 책임에 대한 우리의 헌신은 비즈니스의 모든 측면에 반영됩니다. 당사의 제품은 만족 보증으로 뒷받침되어 고객이 구매에 만족할 수 있도록합니다. 당사의 제품은 전 세계 고객이 사용하며 신뢰성과 품질로 명성을 얻습니다. 우리의 전문가 팀은 글로벌 시장에 대한 깊은 이해를 가지고 있습니다. 우리는 제품 품질이나 고객 서비스에 타협하지 않고 경쟁력있는 요금을 제공합니다.
  • 실리콘 카바이드 분말
    높은 경도 : MOHS 경도는 9. 2 - 9. 5이며, 두 번째는 다이아몬드에 이어. 이렇게하면 연삭 및 절단과 같은 응용 분야에서 잘 수행되며 단단한 재료를 효과적으로 연삭하고 처리 할 수 ​​있습니다.
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  • 산화 알루미늄 분말
    외관 : 일반적으로 흰색 또는 흰색 비정질 가루이며 입자 크기와 모양이 다른 준비 방법과 공정 조건에 따라 다를 수 있습니다.
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  • 세륨 산화물 분말
    외관 : 일반적으로 흰색 또는 약간 노란색 가루이며 순도가 증가함에 따라 색상이 흰색에 가까워집니다.
    밀도 : 밀도는 비교적 7.13 g/cm ³로, 고밀도 재료가 필요한 일부 응용 분야에서 이점을 제공합니다.
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  • 붕소 카바이드 분말
    높은 경도 : 붕소 카바이드는 다이아몬드 및 입방 붕소 질화물에 두 번째로 경도를 가지고 있으며 MOHS 경도는 9.3입니다. 이로 인해 연삭, 절단 및 기타 필드가 탁월하며 다양한 하드 재료를 효과적으로 처리 할 수 ​​있습니다.
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  • 다이아몬드 서스펜션
    높은 경도 : 다이아몬드는 매우 높은 경도를 가지고 있으며, 최대 10의 MOHS 경도가있어 다양한 재료를 효과적으로 갈고 절단하고 연삭 및 연마 과정에서 잘 수행 할 수 있습니다.
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  • 왁스 액체
    높은 점도 안정성 : 액체 왁스는 점도 안정성이 우수하며 온도 및 공정 조건에서 점도 변화가 최소화됩니다. 이 기능은 액체 왁스가 웨이퍼 가늘어진 공정 동안 균일 한 코팅 두께 및 안정적인 접착력을 유지하여 웨이퍼에 대한 신뢰할 수있는지지 및 보호를 제공 할 수 있도록합니다.
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  • Chemcloth 연마 천
    순수한 화학적 연마 패드는 특수 화학 합성 재료로 만들어지며 표면에는 풍부한 활성 화학 그룹이 포함되어 있습니다. 이들 기능 그룹은 광택 된 물질의 표면과의 특정 화학 반응을 겪을 수 있으며, 작은 돌출부와 결함을 빠르게 용해 시키거나 에칭하여 효율적인 표면 레벨링을 달성 할 수있다.
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  • 일반 팽창 폴리 우레탄 연마 패드
    현대 산업 정밀 가공에 널리 사용되는 폴리 우레탄 연마 패드는 탁월한 성능과 다양한 특성으로 다양한 재료의 표면 연마를위한 효율적이고 신뢰할 수있는 솔루션을 제공합니다.
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  • 홈이 팽창 된 폴리 우레탄 연마 패드
    현대적인 재료 표면 처리의 정밀 가공 분야에서, 그루브 폴리 우레탄 연마 패드는 혁신적인 설계와 우수한 성능으로 인해 많은 산업들이 고품질 연마를 달성 할 수있는 핵심이되었습니다.
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  • 봉제 천 연마 패드
    재료 표면 처리의 미세 가공 분야에서 정밀 연마 패드는 우수한 표면 품질을 달성하는 데 핵심 요소이며 반도체, 광학 및 금속 가공과 같은 산업에서 매우 높은 표면 정확도가 필요합니다.
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  • 콜로이드 실리카 연마 유체
    실리콘 이산화물 연마 용액은 정밀 제조 분야의 주요 연마 매체이며, 나노 스케일 실리콘 이산화 입자가 주요 연마제 및 다양한 첨가제로서. 반도체 산업에서 특히 중요합니다.
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  • 화학 연마 유체
    반도체 연마 및 연마 화학 연마 용액의 작동 원리는 화학 기계적 시너지 효과입니다. 연마 공정 동안, 연마 용액의 연마 입자는 기계적 힘의 작용하에 반도체 재료의 표면과 물리 마찰을 겪고 표면의 돌출 부분을 제거합니다.
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