인화인듐(InP) 반도체 공정 기술
목차
소개
신청 요구 사항
시스템 사양
처리 흐름
고객 사례
신청 요구 사항
InP 웨이퍼 처리는 다음 목표를 달성해야 합니다.
표면 거칠기: 연마 후- Ra 1 nm 이하
총 두께 변화(TTV): 최종 웨이퍼 TTV 2 µm 이하
두께 제어: 목표 두께 150 µm(고객 요구 사항에 따라 다름)
가장자리 평탄도: 볼록한 연삭 압반을 사용하여 연마 단계 중 가장자리 뒤틀림을 보상합니다.
시스템 사양
HSM 정밀 연삭 및 연마 시스템은 전체{0}}공정 솔루션을 제공합니다.
처리 흐름
분쇄 준비
평탄도 테스트 게이지를 사용하여 유리 연삭 압반의 볼록성을 보정합니다(연마 가장자리 효과를 보상하는 데 사용됨).
InP 웨이퍼를 전용 고정 장치(ASJ)에 로드합니다. 알루미나 슬러리를 사용하여 2-단계 연삭을 수행합니다.
1단계: 절단 손상을 제거하고 거칠기를 250-350 nm로 줄입니다.
2단계: 평탄도를 향상시켜 조도 200~350nm, TTV 3μm 이하를 달성합니다.
연마 준비
Lapping 플래튼을 연마 패드로 교체하고 연마재를 HSM 특수 연마 슬러리로 전환하십시오.
그래픽 인터페이스를 통한 제어 키 매개변수:
연마 압반 속도: 100rpm 이하
슬러리 유량: 실시간-드립 공급 제어 시스템으로 모니터링(폐기물 감소)
압력 부하: 두께 요구 사항에 따라 동적으로 조정됩니다.
대상: 표면 하부 손상을 제거하고 -원자적으로 매끄러운 표면을 달성합니다(Ra 1 nm 이하).
결과
HSM-LP 시스템으로 처리된 2-인치 InP 웨이퍼는 다음과 같은 성능을 달성했습니다.
고객 사례
한 고객이 HSM-LP 시스템을 사용하여 2인치(50mm) InP 웨이퍼를 처리했습니다. 그 과정과 결과는 다음과 같습니다.
2-단계 연삭:
(가장자리 뒤틀림을 방지하기 위해) 대상 곡률에 맞게 보정된 래핑 압반 볼록함.
알루미나 슬러리를 사용하여 물질을 단계적으로 제거했으며, TTV는 3μm에서 안정화되었습니다.
연마:
연마 슬러리 유속은 50ml/min, 플래튼 속도는 80rpm으로 설정되었습니다.
표면 거칠기가 350nm에서 1nm로 감소했습니다(Dektak 프로파일로미터로 확인).
최종 측정항목:
두께: 150 ± 0.5 µm
평탄도: TTV 1 µm 이하
가장자리 무결성: 치핑이 없습니다.
기술 검증
도식: HSM-LP 시스템으로 처리한 후 InP 웨이퍼의 표면 형태.
참고:
측정 장비: Bruker ContourGT 백색광 간섭계
전체-공정 수율: 98% 이상(80개 웨이퍼의 배치 크기)
