우리 회사는 "고객 우선, 현실적이고 혁신적인"스레드를 준수하며 항상 시장과 고객의 요구를 최우선으로합니다. 우리의 유나이티드와 진취적인 팀 신뢰할 수있는 표면의 랩핑 및 연마를위한 랩핑 및 연마, 고스트 규정을 준수하는 유리 기판, 연마분 미래의 성장 경로에서 고객의 요구를 충족시키기 위해. 고객에게 훨씬 더 많은 혜택을 창출하는 것은 회사 철학입니다. 고객 성장은 우리의 작업 추격입니다다이캐스팅 표면의 래핑 및 폴리싱을 위한 래핑 및 폴리싱 . 자유롭게 저희에게 연락하십시오. 우리는 계속 발전하고 있으며 전반적인 힘이 계속 커지고 활력이 크게 향상됩니다. 전문성은 품질의 근본이며, 완벽과 우수성을 추구하는 것은 회사의 영원한 추구와 기업 정신의 인내입니다. 지속 가능성에 대한 우리의 헌신은 우리가 환경 책임있는 방식으로 운영하여 미래 세대를 위해 지구를 보호 할 수 있도록합니다. 우리의 제품은 국제 안전 및 품질 표준을 준수하기 위해 엄격하게 테스트되었습니다. 우리 팀은 탁월한 서비스를 제공하는 데 전념하는 고도로 숙련 된 전문가들로 구성되어 있습니다.
  • 세륨 산화물 분말
    외관 : 일반적으로 흰색 또는 약간 노란색 가루이며 순도가 증가함에 따라 색상이 흰색에 가까워집니다.
    밀도 : 밀도는 비교적 7.13 g/cm ³로, 고밀도 재료가 필요한 일부 응용 분야에서 이점을 제공합니다.
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  • 실리콘 카바이드 분말
    높은 경도 : MOHS 경도는 9. 2 - 9. 5이며, 두 번째는 다이아몬드에 이어. 이렇게하면 연삭 및 절단과 같은 응용 분야에서 잘 수행되며 단단한 재료를 효과적으로 연삭하고 처리 할 수 ​​있습니다.
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  • 산화 알루미늄 분말
    외관 : 일반적으로 흰색 또는 흰색 비정질 가루이며 입자 크기와 모양이 다른 준비 방법과 공정 조건에 따라 다를 수 있습니다.
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  • 붕소 카바이드 분말
    높은 경도 : 붕소 카바이드는 다이아몬드 및 입방 붕소 질화물에 두 번째로 경도를 가지고 있으며 MOHS 경도는 9.3입니다. 이로 인해 연삭, 절단 및 기타 필드가 탁월하며 다양한 하드 재료를 효과적으로 처리 할 수 ​​있습니다.
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  • 다이아몬드 서스펜션
    높은 경도 : 다이아몬드는 매우 높은 경도를 가지고 있으며, 최대 10의 MOHS 경도가있어 다양한 재료를 효과적으로 갈고 절단하고 연삭 및 연마 과정에서 잘 수행 할 수 있습니다.
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  • 높은 융점 박막 결합 왁스
    고온 박막 접착제 왁스는 광학 유리, 사파이어, 결정, 실리콘 웨이퍼, 게르마늄 웨이퍼, 실리콘 카바이드, 리튬 니오 베이트, 리튬 탄탈 레이트, 금속, 피에 자극 세라믹 등의 결합 공정에 적합합니다. 연마 과정.
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  • 석영 왁스
    반도체 석영 왁스는 반도체 제조의 주요 공정을 위해 신중하게 개발되었으며, 성능이 우수한 기능적 재료입니다. 고유 한 공식과 고급 기술로 합성되어 고정밀, 고순도 및 재료의 안정성을 위해 반도체 산업의 엄격한 요구 사항을 충족시킬 수 있습니다.
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  • 감지 된 유리 기판
    거칠기 범위는 Ra 0. 과도한 거칠기로 인해 가공 된 물질의 표면에.
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  • Chemcloth 연마 천
    순수한 화학적 연마 패드는 특수 화학 합성 재료로 만들어지며 표면에는 풍부한 활성 화학 그룹이 포함되어 있습니다. 이들 기능 그룹은 광택 된 물질의 표면과의 특정 화학 반응을 겪을 수 있으며, 작은 돌출부와 결함을 빠르게 용해 시키거나 에칭하여 효율적인 표면 레벨링을 달성 할 수있다.
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  • 일반 팽창 폴리 우레탄 연마 패드
    현대 산업 정밀 가공에 널리 사용되는 폴리 우레탄 연마 패드는 탁월한 성능과 다양한 특성으로 다양한 재료의 표면 연마를위한 효율적이고 신뢰할 수있는 솔루션을 제공합니다.
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  • 봉제 천 연마 패드
    재료 표면 처리의 미세 가공 분야에서 정밀 연마 패드는 우수한 표면 품질을 달성하는 데 핵심 요소이며 반도체, 광학 및 금속 가공과 같은 산업에서 매우 높은 표면 정확도가 필요합니다.
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  • 화학 연마 유체
    반도체 연마 및 연마 화학 연마 용액의 작동 원리는 화학 기계적 시너지 효과입니다. 연마 공정 동안, 연마 용액의 연마 입자는 기계적 힘의 작용하에 반도체 재료의 표면과 물리 마찰을 겪고 표면의 돌출 부분을 제거합니다.
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