완벽한 관리 시스템과 현실적이고 혁신적인 기술은 랩핑 수입업자, 중형 랩핑 파우더, 사양 랩핑 분말 비용 성능 측면에서 국내외 고객의 요구를 충족시킵니다. 우리는 서비스 개념으로 모든 고객의 건강 요구에 대한 통찰력과 관리를 취하고 적시에 새로운 출시장기 공급 랩핑 파우더 . 우수성에 대한 우리의 헌신은 제품을 넘어 업계에서 비교할 수없는 고객 서비스를 포함하도록 확장됩니다. 우리 회사는 우수성, 혁신 및 지속적인 개선의 문화를 촉진하기 위해 최선을 다하고 있으며 직원 들이이 임무를 수행하도록 도와주기 위해 많은 투자를합니다. 우리의 포트폴리오에는 광범위한 제품이 포함되어 있습니다. 우리는 글로벌 마켓 플레이스에서 자신의 입지를 확대하려는 비즈니스를위한 신뢰할 수있는 파트너가 된 것을 자랑스럽게 생각합니다. 우리는 고객의 고유 한 요구를 충족시키기위한 개인화 된 솔루션을 제공합니다. 우리는 고객의 요구가 독특하다는 것을 이해하며, 특정 요구 사항을 충족하는 맞춤형 솔루션을 제공하기 위해 고객과 긴밀히 협력합니다.
  • 세륨 산화물 분말
    외관 : 일반적으로 흰색 또는 약간 노란색 가루이며 순도가 증가함에 따라 색상이 흰색에 가까워집니다.
    밀도 : 밀도는 비교적 7.13 g/cm ³로, 고밀도 재료가 필요한 일부 응용 분야에서 이점을 제공합니다.
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  • 실리콘 카바이드 분말
    높은 경도 : MOHS 경도는 9. 2 - 9. 5이며, 두 번째는 다이아몬드에 이어. 이렇게하면 연삭 및 절단과 같은 응용 분야에서 잘 수행되며 단단한 재료를 효과적으로 연삭하고 처리 할 수 ​​있습니다.
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  • 산화 알루미늄 분말
    외관 : 일반적으로 흰색 또는 흰색 비정질 가루이며 입자 크기와 모양이 다른 준비 방법과 공정 조건에 따라 다를 수 있습니다.
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  • 붕소 카바이드 분말
    높은 경도 : 붕소 카바이드는 다이아몬드 및 입방 붕소 질화물에 두 번째로 경도를 가지고 있으며 MOHS 경도는 9.3입니다. 이로 인해 연삭, 절단 및 기타 필드가 탁월하며 다양한 하드 재료를 효과적으로 처리 할 수 ​​있습니다.
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  • 다이아몬드 서스펜션
    높은 경도 : 다이아몬드는 매우 높은 경도를 가지고 있으며, 최대 10의 MOHS 경도가있어 다양한 재료를 효과적으로 갈고 절단하고 연삭 및 연마 과정에서 잘 수행 할 수 있습니다.
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  • 높은 융점 박막 결합 왁스
    고온 박막 접착제 왁스는 광학 유리, 사파이어, 결정, 실리콘 웨이퍼, 게르마늄 웨이퍼, 실리콘 카바이드, 리튬 니오 베이트, 리튬 탄탈 레이트, 금속, 피에 자극 세라믹 등의 결합 공정에 적합합니다. 연마 과정.
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  • 감지 된 유리 기판
    거칠기 범위는 Ra 0. 과도한 거칠기로 인해 가공 된 물질의 표면에.
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  • 부식성 유리 기판
    특수 유리 물질을 사용하여 고온 용융 및 특수 화학 처리 공정을 겪어 일반적인 산-염기 및 기타 화학적 시약에 매우 저항력이 있습니다. 고도로 산성 연삭 유체 환경 또는 알칼리성 세정 용액에서 부식, 용해 또는 악화없이 오랫동안 안정성을 유지할 수 있습니다.
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  • Chemcloth 연마 천
    순수한 화학적 연마 패드는 특수 화학 합성 재료로 만들어지며 표면에는 풍부한 활성 화학 그룹이 포함되어 있습니다. 이들 기능 그룹은 광택 된 물질의 표면과의 특정 화학 반응을 겪을 수 있으며, 작은 돌출부와 결함을 빠르게 용해 시키거나 에칭하여 효율적인 표면 레벨링을 달성 할 수있다.
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  • 일반 팽창 폴리 우레탄 연마 패드
    현대 산업 정밀 가공에 널리 사용되는 폴리 우레탄 연마 패드는 탁월한 성능과 다양한 특성으로 다양한 재료의 표면 연마를위한 효율적이고 신뢰할 수있는 솔루션을 제공합니다.
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  • 홈이 팽창 된 폴리 우레탄 연마 패드
    현대적인 재료 표면 처리의 정밀 가공 분야에서, 그루브 폴리 우레탄 연마 패드는 혁신적인 설계와 우수한 성능으로 인해 많은 산업들이 고품질 연마를 달성 할 수있는 핵심이되었습니다.
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  • 화학 연마 유체
    반도체 연마 및 연마 화학 연마 용액의 작동 원리는 화학 기계적 시너지 효과입니다. 연마 공정 동안, 연마 용액의 연마 입자는 기계적 힘의 작용하에 반도체 재료의 표면과 물리 마찰을 겪고 표면의 돌출 부분을 제거합니다.
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